微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道晶体管(CVFET)
根据国际器件和系统路线图(IRDS2023),在集成电路逻辑技术领域,互补场效晶体管(CFET)是继FinFET和水平GAA之后的下一代晶体管架构。CFET技术通过将NMOS与PMOS器件垂直堆叠,改变传统平面工艺或FinFET/GAA的水平布局模式,在更小的
根据国际器件和系统路线图(IRDS2023),在集成电路逻辑技术领域,互补场效晶体管(CFET)是继FinFET和水平GAA之后的下一代晶体管架构。CFET技术通过将NMOS与PMOS器件垂直堆叠,改变传统平面工艺或FinFET/GAA的水平布局模式,在更小的
8月3日14时至4日8时,我区遭遇强降雨天气,中北部出现分散性雷阵雨和阵雨,部分区域雨势强劲。据统计,降雨量大于100毫米的有8站,50-100毫米的有63站,25-50毫米的有206站,10-25毫米的有310站,其余站点降雨量均在10毫米以下。